• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLP7G22-10,135
BLP7G22-10,135

BLP7G22-10,135 - NXP USA Inc.

номер части
BLP7G22-10,135
производитель
NXP USA Inc.
Краткое описание
TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLP7G22-10,135 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BLP7G22-10,135.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4018 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLP7G22-10,135

BLP7G22-10,135 Подробное описание

номер части BLP7G22-10,135
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 700MHz ~ 2.2GHz
Усиление 27dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 110mA
Выходная мощность 2W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол 12-VDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика 12-HVSON (5x6)
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLP7G22-10,135

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLP7G07S-140P,118 BLP7G07S-140P,118 NXP USA Inc. TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F подробности
BLP7G07S-140PY BLP7G07S-140PY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.9DB SOT12231 подробности
BLP7G10S-160PY BLP7G10S-160PY Ampleon USA Inc. RF LDMOS TRANS 160W SOT1223-2 подробности
BLP7G22-05Z BLP7G22-05Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN подробности
BLP7G22-10,135 BLP7G22-10,135 NXP USA Inc. TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON подробности
BLP7G22-10Z BLP7G22-10Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN подробности