• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLP7G10S-160PY
BLP7G10S-160PY

BLP7G10S-160PY - Ampleon USA Inc.

номер части
BLP7G10S-160PY
производитель
Ampleon USA Inc.
Краткое описание
RF LDMOS TRANS 160W SOT1223-2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLP7G10S-160PY Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3620 pcs
Справочная цена
USD 45.478/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLP7G10S-160PY

BLP7G10S-160PY Подробное описание

номер части BLP7G10S-160PY
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS (Dual)
частота 600MHz ~ 960MHz
Усиление 19.4dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг 1.4µA
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 100mA
Выходная мощность 160W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол SOT-1223-2
Пакет устройств поставщика 4-HSOPF
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLP7G10S-160PY

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLP7G07S-140P,118 BLP7G07S-140P,118 NXP USA Inc. TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F подробности
BLP7G07S-140PY BLP7G07S-140PY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.9DB SOT12231 подробности
BLP7G10S-160PY BLP7G10S-160PY Ampleon USA Inc. RF LDMOS TRANS 160W SOT1223-2 подробности
BLP7G22-05Z BLP7G22-05Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN подробности
BLP7G22-10,135 BLP7G22-10,135 NXP USA Inc. TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON подробности
BLP7G22-10Z BLP7G22-10Z Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN подробности