• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLP7G07S-140P,118
BLP7G07S-140P,118

BLP7G07S-140P,118 - NXP USA Inc.

номер части
BLP7G07S-140P,118
производитель
NXP USA Inc.
Краткое описание
TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLP7G07S-140P,118 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BLP7G07S-140P,118.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3710 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLP7G07S-140P,118

BLP7G07S-140P,118 Подробное описание

номер части BLP7G07S-140P,118
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS (Dual)
частота 700MHz ~ 1GHz
Усиление 20.6dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест -
Выходная мощность 35W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол SOT-1223-1
Пакет устройств поставщика 4-HSOPF
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLP7G07S-140P,118

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLP7G07S-140P,118 BLP7G07S-140P,118 NXP USA Inc. TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F подробности
BLP7G07S-140PY BLP7G07S-140PY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.9DB SOT12231 подробности