PMZB600UNELYL - Nexperia USA Inc.

номер части	PMZB600UNELYL
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	600mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Vgs (Макс.)	±8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	21.3pF @ 10V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	360mW (Ta)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	DFN1006B-3
Упаковка / чехол	3-XFDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
PMZB600UNELYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B	подробности
PMZB600UNEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3QFN	подробности
PMZB670UPE,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3	подробности