PMZB600UNELYL - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	PMZB600UNELYL
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	600mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	21.3pF @ 10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	360mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DFN1006B-3
Paquet / cas	3-XFDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PMZB600UNELYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B	Détails
PMZB600UNEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3QFN	Détails
PMZB670UPE,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3	Détails