PMZB600UNELYL - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	PMZB600UNELYL
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	600mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	21.3pF @ 10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	360mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DFN1006B-3
Paket / Fall	3-XFDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
PMZB600UNELYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B	Einzelheiten
PMZB600UNEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3QFN	Einzelheiten
PMZB670UPE,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3	Einzelheiten