| номер части | PMDPB85UPE,115 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | 2 P-Channel (Dual) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2.9A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 103 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 514pF @ 10V |
| Мощность - макс. | 515mW |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 6-UDFN Exposed Pad |
| Пакет устройств поставщика | DFN2020-6 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
PMDPB28UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6 | подробности |
|
PMDPB30XN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON | подробности |
|
PMDPB38UNE,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 | подробности |
|
PMDPB42UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 | подробности |
|
PMDPB55XP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | подробности |
|
PMDPB56XN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 | подробности |
 |
PMDPB56XNEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6 | подробности |
|
PMDPB58UPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 | подробности |
|
PMDPB65UP,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 | подробности |
|
PMDPB70EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN | подробности |
