PMDPB58UPE,115 - Nexperia USA Inc.

номер части	PMDPB58UPE,115
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Функция FET	Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	3.6A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	67 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	9.5nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	804pF @ 10V
Мощность - макс.	515mW
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	6-UDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика	DFN2020-6
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
PMDPB28UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6	подробности
PMDPB30XN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON	подробности
PMDPB38UNE,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6	подробности
PMDPB42UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6	подробности
PMDPB55XP,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON	подробности
PMDPB56XN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6	подробности
PMDPB56XNEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6	подробности
PMDPB58UPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6	подробности
PMDPB65UP,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118	подробности
PMDPB70EN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN	подробности