PMDPB58UPE,115 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	PMDPB58UPE,115
État de la pièce	Active
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	804pF @ 10V
Puissance - Max	515mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-UDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	DFN2020-6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PMDPB28UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6	Détails
PMDPB30XN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON	Détails
PMDPB38UNE,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6	Détails
PMDPB42UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6	Détails
PMDPB55XP,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON	Détails
PMDPB56XN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6	Détails
PMDPB56XNEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6	Détails
PMDPB58UPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6	Détails
PMDPB65UP,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118	Détails
PMDPB70EN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN	Détails