PMDPB85UPE,115 - Nexperia USA Inc.

Número de pieza: PMDPB85UPE,115
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Breve descripción: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Precio de referencia: USD 0.1705/pcs
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Número de pieza	PMDPB85UPE,115
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 P-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	103 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	514pF @ 10V
Potencia - Max	515mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor	DFN2020-6
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
PMDPB28UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6	Detalles
PMDPB30XN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON	Detalles
PMDPB38UNE,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6	Detalles
PMDPB42UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6	Detalles
PMDPB55XP,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON	Detalles
PMDPB56XN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6	Detalles
PMDPB56XNEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6	Detalles
PMDPB58UPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6	Detalles
PMDPB65UP,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118	Detalles
PMDPB70EN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN	Detalles