| Número de pieza | PMDPB30XN,115 |
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| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 21.7nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
| Potencia - Max | 490mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-UDFN Exposed Pad |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DFN2020-6 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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PMDPB28UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6 | Detalles |
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PMDPB30XN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON | Detalles |
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PMDPB38UNE,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 | Detalles |
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PMDPB42UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 | Detalles |
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PMDPB55XP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | Detalles |
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PMDPB56XN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 | Detalles |
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PMDPB56XNEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6 | Detalles |
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PMDPB58UPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 | Detalles |
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PMDPB65UP,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 | Detalles |
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PMDPB70EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN | Detalles |
