APTDF200H100G - Microsemi Corporation

номер части	APTDF200H100G
Статус детали	Active
Тип диода	Single Phase
Технологии	Standard
Напряжение - Реверс пика (макс.)	1000V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	255A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	2.7V @ 200A
Текущий - обратный утечек @ Vr	100µA @ 1000V
Рабочая Температура	-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	SP6
Пакет устройств поставщика	SP6
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APTDF100H100G	Microsemi Corporation	DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4	подробности
APTDF100H1201G	Microsemi Corporation	DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1	подробности
APTDF100H120G	Microsemi Corporation	DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4	подробности
APTDF100H170G	Microsemi Corporation	DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4	подробности
APTDF100H20G	Microsemi Corporation	DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4	подробности
APTDF100H601G	Microsemi Corporation	DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1	подробности
APTDF100H60G	Microsemi Corporation	DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4	подробности
APTDF200H100G	Microsemi Corporation	DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6	подробности
APTDF200H120G	Microsemi Corporation	DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6	подробности
APTDF200H170G	Microsemi Corporation	DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6	подробности