| Numero di parte | APTDF200H100G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 1000V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 255A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.7V @ 200A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APTDF100H100G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Dettagli |
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APTDF100H1201G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | Dettagli |
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APTDF100H120G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Dettagli |
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APTDF100H170G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Dettagli |
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APTDF100H20G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Dettagli |
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APTDF100H601G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | Dettagli |
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APTDF100H60G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Dettagli |
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APTDF200H100G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Dettagli |
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APTDF200H120G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Dettagli |
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APTDF200H170G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Dettagli |
