APTCV50H60T3G

APTCV50H60T3G - Microsemi Corporation

номер части
APTCV50H60T3G
производитель
Microsemi Corporation
Краткое описание
IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
APTCV50H60T3G Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
553 pcs
Справочная цена
USD 48.8048/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку APTCV50H60T3G

APTCV50H60T3G Подробное описание

номер части APTCV50H60T3G
Статус детали Active
Тип IGBT NPT, Trench Field Stop
конфигурация Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 80A
Мощность - макс. 176W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SP3
Пакет устройств поставщика SP3
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ APTCV50H60T3G