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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › APTCV50H60T3G
APTCV50H60T3G

APTCV50H60T3G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTCV50H60T3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APTCV50H60T3G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
521 pcs
Prezzo di riferimento
USD 48.8048/pcs
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APTCV50H60T3G Descrizione dettagliata

Numero di parte APTCV50H60T3G
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT, Trench Field Stop
Configurazione Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 80A
Potenza - Max 176W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3
Peso -
Paese d'origine -

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