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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › APTCV50H60T3G
APTCV50H60T3G

APTCV50H60T3G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTCV50H60T3G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APTCV50H60T3G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
519 pcs
Prix ​​de référence
USD 48.8048/pcs
Notre prix
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APTCV50H60T3G Description détaillée

Numéro d'article APTCV50H60T3G
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT, Trench Field Stop
Configuration Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Puissance - Max 176W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP3
Package de périphérique fournisseur SP3
Poids -
Pays d'origine -

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