APT75GT120JU3 - Microsemi Corporation

номер части	APT75GT120JU3
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
конфигурация	Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100A
Мощность - макс.	416W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	5.34nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	ISOTOP
Пакет устройств поставщика	SOT-227
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT75DF170HJ	Microsemi Corporation	MOD DIODE 1700V SOT-227	подробности
APT75DL120HJ	Microsemi Corporation	MOD DIODE 1200V SOT-227	подробности
APT75DL60HJ	Microsemi Corporation	MOD DIODE 600V SOT-227	подробности
APT75DQ100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247	подробности
APT75DQ120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247	подробности
APT75DQ60BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 600V 75A TO247	подробности
APT75F50B2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 75A TO-247	подробности
APT75F50L	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 75A TO-264	подробности
APT75GN120B2G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 200A 833W TMAX	подробности
APT75GN120J	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 124A 379W SOT227	подробности