| номер части | APT75DQ100BG |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 1000V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 75A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 3V @ 75A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 250ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 100µA @ 1000V |
| Емкость @ Vr, F | - |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-247-2 |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 [B] |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | подробности |
 |
APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | подробности |
|
APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | подробности |
 |
APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | подробности |
|
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | подробности |
 |
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | подробности |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | подробности |
|
APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | подробности |
|
APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | подробности |
|
APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | подробности |
