| номер части | N25Q016A11EF640E |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NOR |
| Размер памяти | 16Mb (2M x 8) |
| Частота часов | 108MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | 8ms, 1ms |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | SPI |
| Напряжение - Поставка | 1.7 V ~ 2 V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 8-VDFN Exposed Pad |
| Пакет устройств поставщика | 8-DFN (5x6) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
N25Q016A11E5140F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8LBGA | подробности |
|
N25Q016A11EF640E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8VPDFN | подробности |
|
N25Q016A11EF640F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH NOR 4MX4 VFQFPN | подробности |
 |
N25Q016A11ESC40F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8SO | подробности |
|
N25Q016A11ESC40G | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8SO | подробности |
|
N25Q016A11ESCA0F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8SO | подробности |
|
N25Q016A11EV7A0 | Micron Technology Inc. | IC FLASH MEMORY NOR DIE | подробности |
