| Numéro d'article | N25Q016A11EF640E |
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| État de la pièce | Obsolete |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de la mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NOR |
| Taille mémoire | 16Mb (2M x 8) |
| Fréquence d'horloge | 108MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | 8ms, 1ms |
| Temps d'accès | - |
| Interface de mémoire | SPI |
| Tension - Alimentation | 1.7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-VDFN Exposed Pad |
| Package de périphérique fournisseur | 8-DFN (5x6) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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N25Q016A11E5140F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8LBGA | Détails |
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N25Q016A11EF640E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8VPDFN | Détails |
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N25Q016A11EF640F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH NOR 4MX4 VFQFPN | Détails |
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N25Q016A11ESC40F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8SO | Détails |
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N25Q016A11ESC40G | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8SO | Détails |
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N25Q016A11ESCA0F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8SO | Détails |
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N25Q016A11EV7A0 | Micron Technology Inc. | IC FLASH MEMORY NOR DIE | Détails |
