| Artikelnummer | N25Q016A11EF640E |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 16Mb (2M x 8) |
| Taktfrequenz | 108MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 8ms, 1ms |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | SPI |
| Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
N25Q016A11E5140F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8LBGA | Einzelheiten |
|
N25Q016A11EF640E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8VPDFN | Einzelheiten |
|
N25Q016A11EF640F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH NOR 4MX4 VFQFPN | Einzelheiten |
 |
N25Q016A11ESC40F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8SO | Einzelheiten |
|
N25Q016A11ESC40G | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8SO | Einzelheiten |
|
N25Q016A11ESCA0F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 16MBIT 108MHZ 8SO | Einzelheiten |
|
N25Q016A11EV7A0 | Micron Technology Inc. | IC FLASH MEMORY NOR DIE | Einzelheiten |
