| номер части | MT44K64M18RB-083F:A |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Volatile |
| Формат памяти | DRAM |
| Технологии | DRAM |
| Размер памяти | 1.125Gb (64Mb x 18) |
| Частота часов | 1200MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | 6.67ns |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 1.28V ~ 1.42V |
| Рабочая Температура | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MT44K64M18RB-083E:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ | подробности |
|
MT44K64M18RB-083E:A TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG | подробности |
|
MT44K64M18RB-083F:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ | подробности |
|
MT44K64M18RB-083F:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ | подробности |
|
MT44K64M18RB-093E:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ | подробности |
|
MT44K64M18RB-093E:A TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA | подробности |
|
MT44K64M18RB-093F:A | Micron Technology Inc. | RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA | подробности |
|
MT44K64M18RB-093F:A TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA | подробности |
|
MT44K64M18RB-107E IT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ | подробности |
|
MT44K64M18RB-107E IT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ | подробности |
