MT44K64M18RB-083F:A - Micron Technology Inc.

Número de pieza: MT44K64M18RB-083F:A
Fabricante: Micron Technology Inc.
Breve descripción: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Memoria
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 1892 pcs
Precio de referencia: USD 96.675/pcs
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Número de pieza	MT44K64M18RB-083F:A
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	DRAM
Tecnología	DRAM
Tamaño de la memoria	1.125Gb (64Mb x 18)
Frecuencia de reloj	1200MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	-
Tiempo de acceso	6.67ns
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.28V ~ 1.42V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje	-
Paquete / caja	-
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
MT44K64M18RB-083E:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ	Detalles
MT44K64M18RB-083E:A TR	Micron Technology Inc.	IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG	Detalles
MT44K64M18RB-083F:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ	Detalles
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