| 부품 번호 | MT44K64M18RB-083F:A |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 과학 기술 | DRAM |
| 메모리 크기 | 1.125Gb (64Mb x 18) |
| 클럭 주파수 | 1200MHz |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 액세스 시간 | 6.67ns |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 1.28V ~ 1.42V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 실장 형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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MT44K64M18RB-083E:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ | 세부 |
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MT44K64M18RB-083E:A TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG | 세부 |
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MT44K64M18RB-083F:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ | 세부 |
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MT44K64M18RB-083F:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ | 세부 |
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MT44K64M18RB-093E:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ | 세부 |
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MT44K64M18RB-093E:A TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA | 세부 |
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MT44K64M18RB-093F:A | Micron Technology Inc. | RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA | 세부 |
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MT44K64M18RB-093F:A TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA | 세부 |
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MT44K64M18RB-107E IT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ | 세부 |
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MT44K64M18RB-107E IT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ | 세부 |
