VMO580-02F - IXYS

номер части	VMO580-02F
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	580A
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 50mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	2750nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	-
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 430A, 10V
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Пакет устройств поставщика	Y3-Li
Упаковка / чехол	Y3-Li
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	VMO550-01F	IXYS	MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB	подробности
	VMO580-02F	IXYS	MOSFET N-CH 200V 580A MODULE	подробности