VMO580-02F - IXYS

Artikelnummer	VMO580-02F
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	580A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 50mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	2750nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 430A, 10V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Lieferantengerätepaket	Y3-Li
Paket / Fall	Y3-Li
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	VMO550-01F	IXYS	MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB	Einzelheiten
	VMO580-02F	IXYS	MOSFET N-CH 200V 580A MODULE	Einzelheiten