VMO580-02F - IXYS

Numero di parte	VMO580-02F
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	580A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 50mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2750nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 430A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Y3-Li
Pacchetto / caso	Y3-Li
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	VMO550-01F	IXYS	MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB	Dettagli
	VMO580-02F	IXYS	MOSFET N-CH 200V 580A MODULE	Dettagli