IXTL2N470 - IXYS

номер части	IXTL2N470
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	4700V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	20 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	6860pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	220W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	ISOPLUSi5-Pak™
Упаковка / чехол	ISOPLUSi5-Pak™
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXT-1-1N100S1	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC	подробности
IXT-1-1N100S1-TR	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC	подробности
IXTA02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	подробности
IXTA02N250HV	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	подробности
IXTA02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263	подробности
IXTA05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263	подробности
IXTA05N100HV	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263	подробности
IXTA06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263	подробности
IXTA08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK	подробности
IXTA08N100D2HV	IXYS	MOSFET N-CH	подробности