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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTL2N470
IXTL2N470

IXTL2N470 - IXYS

品番
IXTL2N470
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTL2N470 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2355 pcs
参考価格
USD 69.856/pcs
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IXTL2N470 詳細な説明

品番 IXTL2N470
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 4700V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 20 Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 6V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 180nC @ 10V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6860pF @ 25V
FET機能 -
消費電力（最大） 220W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ ISOPLUSi5-Pak™
パッケージ/ケース ISOPLUSi5-Pak™
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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