IXTK200N10L2 - IXYS

номер части	IXTK200N10L2
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	200A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	540nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	23000pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1040W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 100A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-264 (IXTK)
Упаковка / чехол	TO-264-3, TO-264AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXTK100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-264	подробности
IXTK102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 102A TO-264	подробности
IXTK102N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 102A X2 TO-264	подробности
IXTK110N20L2	IXYS	MOSFET N-CH 200V 110A TO-264	подробности
IXTK110N30	IXYS	MOSFET N-CH 300V 110A TO-264	подробности
IXTK120N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-264	подробности
IXTK120N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	подробности
IXTK120N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	подробности
IXTK120N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 120A TO-264	подробности
IXTK120P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 120A TO-264	подробности