IXTK200N10L2 - IXYS

Numéro d'article	IXTK200N10L2
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	200A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	540nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-264 (IXTK)
Paquet / cas	TO-264-3, TO-264AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTK100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-264	Détails
IXTK102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 102A TO-264	Détails
IXTK102N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 102A X2 TO-264	Détails
IXTK110N20L2	IXYS	MOSFET N-CH 200V 110A TO-264	Détails
IXTK110N30	IXYS	MOSFET N-CH 300V 110A TO-264	Détails
IXTK120N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-264	Détails
IXTK120N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	Détails
IXTK120N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	Détails
IXTK120N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 120A TO-264	Détails
IXTK120P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 120A TO-264	Détails