IXTK200N10L2

IXTK200N10L2 - IXYS

Numero di parte
IXTK200N10L2
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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New
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IXTK200N10L2 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXTK200N10L2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 540nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-264 (IXTK)
Pacchetto / caso TO-264-3, TO-264AA
Peso -
Paese d'origine -

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