IXDN75N120 - IXYS

номер части	IXDN75N120
Статус детали	Active
Тип IGBT	NPT
конфигурация	Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	150A
Мощность - макс.	660W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	4mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	5.5nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика	SOT-227B
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXDN402PI	IXYS	IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-DIP	подробности
IXDN402SI	IXYS	IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC	подробности
IXDN402SI-16	IXYS	IXDN402SI-16 IXYS SOP New Original Stocks	подробности
IXDN402SIA	IXYS	IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC	подробности
IXDN402SIA-16	IXYS	IXDN402SIA-16 IXYS SOP New Original Stocks	подробности
IXDN404PI	IXYS	IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP	подробности
IXDN404SI	IXYS	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 8-SOIC	подробности
IXDN404SI-16	IXYS	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC	подробности
IXDN404SIA	IXYS	IC DUAL GATE DRIVER 4A 8 SOIC	подробности
IXDN409CI	IXYS	IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5	подробности