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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › IXDN75N120
IXDN75N120

IXDN75N120 - IXYS

Numero di parte
IXDN75N120
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
IGBT 1200V 150A SOT-227B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IXDN75N120 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
12 pcs
Prezzo di riferimento
USD 37.78/pcs
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IXDN75N120 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXDN75N120
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 150A
Potenza - Max 660W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 75A
Corrente - Limite del collettore (max) 4mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 5.5nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
Peso -
Paese d'origine -

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