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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - IGBT - Módulos › IXDN75N120
IXDN75N120

IXDN75N120 - IXYS

Número de pieza
IXDN75N120
Fabricante
IXYS
Breve descripción
IGBT 1200V 150A SOT-227B
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IXDN75N120 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
12 pcs
Precio de referencia
USD 37.78/pcs
Nuestro precio
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IXDN75N120 Descripción detallada

Número de pieza IXDN75N120
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT NPT
Configuración Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Potencia - Max 660W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 75A
Corriente - corte de colector (máximo) 4mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 5.5nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-227B
Peso -
País de origen -

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