IS49NLS18160-25WBLI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

номер части	IS49NLS18160-25WBLI
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	DRAM
Технологии	DRAM
Размер памяти	288Mb (16M x 18)
Частота часов	400MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	20ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	144-TBGA
Пакет устройств поставщика	144-TWBGA (11x18.5)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IS49NLS18160-25B	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	подробности
IS49NLS18160-25BI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	подробности
IS49NLS18160-25BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	подробности
IS49NLS18160-25BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	подробности
IS49NLS18160-25WBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ	подробности
IS49NLS18160-33B	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	подробности
IS49NLS18160-33BI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	подробности
IS49NLS18160-33BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	подробности
IS49NLS18160-33BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	подробности
IS49NLS18160-33WBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ	подробности