IS49NLS18160-25WBLI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Numéro d'article	IS49NLS18160-25WBLI
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de la mémoire	DRAM
La technologie	DRAM
Taille mémoire	288Mb (16M x 18)
Fréquence d'horloge	400MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	20ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	144-TBGA
Package de périphérique fournisseur	144-TWBGA (11x18.5)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IS49NLS18160-25B	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	Détails
IS49NLS18160-25BI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	Détails
IS49NLS18160-25BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	Détails
IS49NLS18160-25BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	Détails
IS49NLS18160-25WBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ	Détails
IS49NLS18160-33B	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	Détails
IS49NLS18160-33BI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	Détails
IS49NLS18160-33BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	Détails
IS49NLS18160-33BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	Détails
IS49NLS18160-33WBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ	Détails