IS49NLS18160-25WBLI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Artikelnummer	IS49NLS18160-25WBLI
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	DRAM
Technologie	DRAM
Speichergröße	288Mb (16M x 18)
Taktfrequenz	400MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	20ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	144-TBGA
Lieferantengerätepaket	144-TWBGA (11x18.5)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IS49NLS18160-25B	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	Einzelheiten
IS49NLS18160-25BI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	Einzelheiten
IS49NLS18160-25BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	Einzelheiten
IS49NLS18160-25BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 400MHZ 144BGA	Einzelheiten
IS49NLS18160-25WBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ	Einzelheiten
IS49NLS18160-33B	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	Einzelheiten
IS49NLS18160-33BI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	Einzelheiten
IS49NLS18160-33BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	Einzelheiten
IS49NLS18160-33BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288MBIT 300MHZ 144BGA	Einzelheiten
IS49NLS18160-33WBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ	Einzelheiten