| номер части | SPD02N80C3ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 800V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 290pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 42W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
SPD02N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK | подробности |
 |
SPD02N50C3BTMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | подробности |
 |
SPD02N60C3 | infineon | SPD02N60C3 infineon TO-252 New Original Stocks | подробности |
|
SPD02N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK | подробности |
|
SPD02N60S5 | infineon | SPD02N60S5 infineon TO-252 New Original Stocks | подробности |
|
SPD02N60S5BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 | подробности |
|
SPD02N80C3 | INF | SPD02N80C3 INF TO-252 New Original Stocks | подробности |
|
SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252 | подробности |
|
SPD02N80C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A TO-252 | подробности |
