| 부품 번호 | SPD02N80C3ATMA1 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 800V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 120µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 290pF @ 100V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 42W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TO252-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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SPD02N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK | 세부 |
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SPD02N50C3BTMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | 세부 |
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SPD02N60C3 | infineon | SPD02N60C3 infineon TO-252 New Original Stocks | 세부 |
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SPD02N60S5 | infineon | SPD02N60S5 infineon TO-252 New Original Stocks | 세부 |
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SPD02N60S5BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 | 세부 |
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SPD02N80C3 | INF | SPD02N80C3 INF TO-252 New Original Stocks | 세부 |
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SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252 | 세부 |
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SPD02N80C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A TO-252 | 세부 |
