SPD02N50C3 - Infineon Technologies

номер части	SPD02N50C3
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	560V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1.8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	9nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	190pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	25W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 1.1A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SPD005G	EXSHINE	Smartec Pressure Sensor	подробности
SPD015A	EXSHINE	Smartec Pressure Sensor	подробности
SPD015G	EXSHINE	Smartec Pressure Sensor	подробности
SPD01N60C3	INFINEON	SPD01N60C3 INFINEON SOT-25.. New Original Stocks	подробности
SPD01N60C3BTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252	подробности
SPD02N50C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK	подробности
SPD02N50C3BTMA1	Infineon Technologies	LOW POWER_LEGACY	подробности
SPD02N60C3	infineon	SPD02N60C3 infineon TO-252 New Original Stocks	подробности
SPD02N60C3BTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK	подробности
SPD02N60S5	infineon	SPD02N60S5 infineon TO-252 New Original Stocks	подробности