| номер части | SPB80P06PGATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 64A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5.5mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 173nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 5033pF @ 25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 340W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3-2 |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SPB800-BCP1 | H&D Wireless AB | RF TXRX MODULE WIFI CHIP ANT | подробности |
 |
SPB80N03L | infineon | SPB80N03L infineon TO263 New Original Stocks | подробности |
|
SPB80N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | подробности |
|
SPB80N03S203GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | подробности |
|
SPB80N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | подробности |
|
SPB80N03S2L-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | подробности |
|
SPB80N03S2L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | подробности |
|
SPB80N03S2L-04 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | подробности |
|
SPB80N03S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | подробности |
|
SPB80N03S2L-05 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | подробности |
