SPB80P06PGATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: SPB80P06PGATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 85537 pcs
Precio de referencia: USD 1.92485/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	SPB80P06PGATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 64A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 5.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	173nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5033pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	340W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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