SPB80N03S2L-04 - Infineon Technologies

номер части	SPB80N03S2L-04
Статус детали	Discontinued at Digi-Key
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 130µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	105nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	3900pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	188W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 80A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-3-2
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SPB800-BCP1	H&D Wireless AB	RF TXRX MODULE WIFI CHIP ANT	подробности
SPB80N03L	infineon	SPB80N03L infineon TO263 New Original Stocks	подробности
SPB80N03S2-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK	подробности
SPB80N03S203GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK	подробности
SPB80N03S2L-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK	подробности
SPB80N03S2L-03 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK	подробности
SPB80N03S2L-04	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK	подробности
SPB80N03S2L-04 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK	подробности
SPB80N03S2L-05	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK	подробности
SPB80N03S2L-05 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK	подробности