IPB016N06L3 G - Infineon Technologies

номер части	IPB016N06L3 G
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	180A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 196µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	166nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	28000pF @ 30V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	250W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.6 mOhm @ 100A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-7
Упаковка / чехол	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IPB010N06NATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7	подробности
IPB011N04L G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7	подробности
IPB011N04LGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7	подробности
IPB011N04NGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7	подробности
IPB014N06NATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7	подробности
IPB015N04L G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3	подробности
IPB015N04LGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3	подробности
IPB015N04N G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3	подробности
IPB015N04NGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3	подробности
IPB015N08N5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3	подробности