IPB015N04NGATMA1 - Infineon Technologies

номер части	IPB015N04NGATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	250nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	20000pF @ 20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	250W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263AB)
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IPB015N04L G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3	подробности
IPB015N04LGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3	подробности
IPB015N04N G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3	подробности
IPB015N04NGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3	подробности
IPB015N08N5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3	подробности