• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPB016N06L3 G
IPB016N06L3 G

IPB016N06L3 G - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPB016N06L3 G
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPB016N06L3 G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
5000 pcs
Referenzpreis
USD 2.3727/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern IPB016N06L3 G

IPB016N06L3 G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPB016N06L3 G
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 196µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 166nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 250W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 100A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-7
Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR IPB016N06L3 G

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 Einzelheiten
IPB011N04L G IPB011N04L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 Einzelheiten
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 Einzelheiten
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 Einzelheiten
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7 Einzelheiten
IPB015N04L G IPB015N04L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 Einzelheiten
IPB015N04LGATMA1 IPB015N04LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 Einzelheiten
IPB015N04N G IPB015N04N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 Einzelheiten
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 Einzelheiten
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 Einzelheiten