• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - IGBT - Модули › FP150R07N3E4B11BOSA1
FP150R07N3E4B11BOSA1

FP150R07N3E4B11BOSA1 - Infineon Technologies

номер части
FP150R07N3E4B11BOSA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IGBT MODULE VCES 650V 150A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
FP150R07N3E4B11BOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
1150 pcs
Справочная цена
USD 143.009/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку FP150R07N3E4B11BOSA1

FP150R07N3E4B11BOSA1 Подробное описание

номер части FP150R07N3E4B11BOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 150A
Мощность - макс. 430W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ FP150R07N3E4B11BOSA1

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
FP150R07N3E4B11BOSA1 FP150R07N3E4B11BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 650V 150A подробности
FP150R07N3E4BOSA1 FP150R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 650V 150A подробности