FP150R07N3E4B11BOSA1

FP150R07N3E4B11BOSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
FP150R07N3E4B11BOSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
IGBT MODULE VCES 650V 150A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1150 pcs
Prezzo di riferimento
USD 143.009/pcs
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FP150R07N3E4B11BOSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte FP150R07N3E4B11BOSA1
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 150A
Potenza - Max 430W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 150A
Corrente - Limite del collettore (max) 1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso -
Paese d'origine -

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