FP150R07N3E4B11BOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	FP150R07N3E4B11BOSA1
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	Trench Field Stop
Configuration	Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	150A
Puissance - Max	430W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.95V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	9.3nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	Yes
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Module
Package de périphérique fournisseur	Module
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	FP150R07N3E4B11BOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 650V 150A	Détails
	FP150R07N3E4BOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 650V 150A	Détails